{"product_id":"mitsubishi-electric-gcu08bb-130-80173-109-01-2-gu-g08-thyristor-unit","title":"Unit Thyristor Mitsubishi Electric GCU08BB-130 80173-109-01-2 GU-G08","description":"\u003ch3\u003eDescription\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eThe \u003cstrong\u003eMitsubishi Electric GCU08BB-130\u003c\/strong\u003e is a high-power symmetrical Gate Commutated Turn-off (\u003cstrong\u003eGCT\u003c\/strong\u003e) thyristor unit integrated with a dedicated \u003cstrong\u003eGU-G08\u003c\/strong\u003e gate driver board assembly, engineered specifically for high-power inverter use. This industrial press-pack type device features an optimized co-axial configuration where the \u003cstrong\u003eGCT\u003c\/strong\u003e semiconductor and the gate driver are interconnected directly to achieve low-inductance gate commutation and robust noise immunity. The unit provides critical power management with a repetitive peak off-state voltage of 6500V and a repetitive controllable on-state current of 800A. Bearing the manufacturer identification \u003cstrong\u003e80173-109-01-2\u003c\/strong\u003e, the \u003cstrong\u003eGCU08BB-130\u003c\/strong\u003e delivers dependable solid-state switching for current source inverters, DC choppers, induction heaters, and DC to DC converters.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eFeatures\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eSymmetrical \u003cstrong\u003eGCT\u003c\/strong\u003e device layout with an integrated \u003cstrong\u003eGU-G08\u003c\/strong\u003e gate driver board for direct, low-inductance control.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eFour built-in diagnostic LED indicators providing real-time operational feedback: POWER SUPPLY OK (Green), G-K OK (Green), GATE ON (Yellow), and GATE OFF (Red).\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eIntegrated fiber optic control interface utilizing dedicated transmitter and receiver nodes to ensure electrical isolation and high immunity against electromagnetic interference (EMI).\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eDual on-board test points (GATE TEST POINT and CATHODE TEST POINT) for straightforward field diagnostics and voltage verification.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eHigh-voltage press-pack structure offering balanced thermal dissipation across the double-sided cooling surfaces under heavy mechanical clamping.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eApplications\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eCurrent source inverters\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eDC choppers\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eInduction heaters\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eDC to DC converters\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eTechnical Specifications\u003c\/h3\u003e\n\u003ch4\u003eElectrical Ratings (GCT Part)\u003c\/h4\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParameter\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eSymbol\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eConditions\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eRating \/ Limit\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eUnit\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eRepetitive peak reverse voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVRRM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e6500\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eNon-repetitive peak reverse voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVRSM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e6500\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eRepetitive peak off-state voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVDRM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGate driver energized\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e6500\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eNon-repetitive peak off-state voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVDSM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGate driver energized\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e6500\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eLong term DC stability voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV(LTDS)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGate driver energized, lambda = 100 Fit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e3600\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eRMS on-state current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIT(RMS)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eApplied for all condition angles\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e520\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eAverage on-state current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIT(AV)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ef = 60Hz sinewave, theta = 180 degrees, Tt = 62 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e330\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eRepetitive controllable on-state current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eITQRM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVDM = 3\/4 VDRM, VD = 3000V, LC = 0.3 uH, Tj = 25\/125 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e800\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eSurge on-state current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eITSM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eOne half cycle at 60Hz, Tj = 125 degC start\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4.8\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ekA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCurrent-squared, time integration\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eI2t\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eOne half cycle at 60Hz, Tj = 125 degC start\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e9.6 x 10^4\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA2s\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCritical rate of rise of on-state current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003edit\/dt\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVD = 3000V, IT = 800A, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 25\/125 degC, f = 60Hz\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1000\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA\/us\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCritical rate of rise of reverse recovery current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003edir\/dt\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIT = 800A, VA = 3000V, Tj = 25\/125 degC, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1000\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA\/us\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePeak forward gate power dissipation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePFGM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e5\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ekW\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePeak reverse gate power dissipation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePRGM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e17\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ekW\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eAverage forward gate power dissipation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePFG(AV)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e100\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eW\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eAverage reverse gate power dissipation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePRG(AV)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e120\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eW\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePeak forward gate voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVFGM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e10\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePeak reverse gate voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVRGM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e21\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePeak forward gate current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIFGM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e500\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePeak reverse gate current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIRGM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e800\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch4\u003eElectrical Characteristics (GCT Part)\u003c\/h4\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParameter\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eSymbol\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eConditions\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eMin\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eTyp\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eMax\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eUnit\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eOn-state voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVTM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIT = 400A, Tj = 125 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e5.5\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eRepetitive peak reverse current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIRRM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVRM = 6500V, Tj = 125 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e250\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003emA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eRepetitive peak off-state current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIDRM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVDM = 6500V, Tj = 125 degC, Gate driver energized\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e100\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003emA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eReverse gate current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIGRM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVRG = 21V, Tj = 125 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e40\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003emA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCritical rate of rise of off-state voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003edv\/dt\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVD = 3000V, Tj = 125 degC, Gate driver energized (Expo. wave)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e3000\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\/us\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTurn-on time\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003etgt\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTj = 125 degC, IT = 800A, VD = 3000V, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e5\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eus\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTurn-on delay time\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003etd\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTj = 125 degC, IT = 800A, VD = 3000V, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eus\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTurn-on switching energy\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eEon\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIT = 400A, VD = 3000V, di\/dt = 1000A\/us, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.6\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eJ\/P\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eStorage time\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ets\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIT = 800A, VDM = 3\/4 VDRM, VD = 3000V, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e3\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eus\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTurn-off switching energy\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eEoff\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIT = 400A, VDM = 4000V, VD = 3000V, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2.3\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eJ\/P\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eReverse recovery charge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eQRR\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVA = 3000V, IT = 400A, di\/dt = 1000A\/us\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1800\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003euC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eReverse recovery energy\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eErec\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eCs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4.4\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eJ\/P\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eGate trigger current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIGT\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVD = 24V, RL = 0.1 Ohm, Tj = 25 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.5\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eGate trigger voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVGT\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDC method\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1.5\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch4\u003eGate Driver Board Assembly (GU-G08 Part)\u003c\/h4\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParameter\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eSymbol\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eConditions\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eMin\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eTyp\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eMax\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eUnit\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePower supply voltage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVGIN\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDC power supply input via Phoenix plug\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e19\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e20\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e21\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eV\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eGate power consumption\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePGIN\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIT = 420Arms, f = 780Hz, duty = 0.33\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e35\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eW\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eDelay time of on gate current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003etfd\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTa = 25 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e3.0\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eus\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eDelay time of off gate current\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003etrd\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTa = 25 degC\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e3.0\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eus\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch4\u003eMechanical and Environmental Data\u003c\/h4\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParameter\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eSymbol\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eConditions\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eMin\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eTyp\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eMax\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eUnit\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eMounting force\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eFM\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eRequired compression clamping\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e11.1\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e13\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e15.8\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ekN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eWeight\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eBase module mass\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1100\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eg\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePole piece diameter\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGCT component mating profile (±0.2mm)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e47\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003emm\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eHousing thickness\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGCT component thickness (±0.5mm)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e26\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003emm\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eJunction operating temperature\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTj\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eContinuous operation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-10\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e125\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003edegC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eStorage temperature\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTstg\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eAmbient environment\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-10\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e60\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003edegC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eAmbient operation temperature\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTa\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eLocal enclosure air (Recommended \u0026lt;= 40 degC)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-10\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e60\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003edegC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eJunction to Fin thermal resistance\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eRth(j-f)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDouble-sided cooling configuration\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e—\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.025\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eK\/W\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eConnections\/Interfaces\u003c\/h3\u003e\n\u003ch4\u003eInterface Component Assignments\u003c\/h4\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eInterface \/ Connector Name\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eComponent \/ Type Identifier\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eFunction\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e20V Power Supply Input\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePhoenix Contact MSTB2.5\/2-G-5.08AU\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eMain 20VDC power supply input for the gate driver board\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eFiber Optic Input\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eAgilent HFBR-2521\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eReceiver port for external optical control pulse lines\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eFault Signal Output\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eAgilent HFBR-1521\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTransmitter port for optical feedback and driver status tracking\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eGate Test Point\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eOn-board Terminal Pin\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePhysical point for measuring gate potential\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCathode Test Point\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eOn-board Terminal Pin\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePhysical point for measuring cathode potential\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eInstallation Guidelines\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eClamping Pressure Control\u003c\/strong\u003e: The press-pack assembly requires a strict mechanical force within 11.1 kN to 15.8 kN (Target: 13 kN). Improper mounting force degrades the internal interface thermal resistance and risks electrical failure under high current loads.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eControl Power Parameters\u003c\/strong\u003e: Deliver a clean DC voltage profile between 19V and 21V directly to the 2-pin Phoenix plug header. Ensure power cabling satisfies continuous current demands without dropping below 19V during high-frequency gate charging.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eOptical Data Link Rules\u003c\/strong\u003e: Ensure the fiber optic cables securely seat inside the Agilent HFBR-2521 and HFBR-1521 sub-assemblies. Maintain bend radiuses above the minimal mechanical thresholds to block light-attenuation errors.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eThermal Interface Execution\u003c\/strong\u003e: Coat the heatsink poles smoothly and evenly with high-performance thermal grease. The total thermal loop resistance from junction to fin must remain bound under 0.025 K\/W.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eScrew Clearance Safety\u003c\/strong\u003e: Limit the engagement depth of matching screws penetrating the thermal blocks or heatsink directly to between 6 mm and 8 mm to avoid distortion of the housing or board stress.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"Mitsubishi Electric","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":52695186866539,"sku":"GCU08BB-130 80173-109-01-2","price":100.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0953\/3227\/0443\/files\/allen-bradley-gcu08bb-130-80173-109-01-2-thyristor-unit-nyla4bdqm54_674d8272-7e20-422f-890a-f8b4d18817e4.jpg?v=1766114488","url":"https:\/\/www.plcprotech.com\/ms\/products\/mitsubishi-electric-gcu08bb-130-80173-109-01-2-gu-g08-thyristor-unit","provider":"PLC ProTech Ltd.","version":"1.0","type":"link"}