ABB Stromberg MEM86-3X192K proqramlaşdırılan yaddaş platası

Məhsula ümumi baxış

 MEM86-3X192K (MEM86-3*192K) Allen-Bradley/Stromberg Rəqəmsal İstinad Kontrolleri (DRC) şkaf sistemləri üçün xüsusi olaraq hazırlanmış, yüksək sıxlıqlı, ümumi təyinatlı yaddaş platasıdır. Avadanlıq tutduğu sahəni azaltmaq üçün işlənib hazırlanmış tək bir MEM86-3X192K ən çox üç müstəqil MEM86-192K köhnə tipli platanı əvəz edir. Bu modul proqram təminatı üçün 32 Kbaytlıq EPROM-ların, yüksək sürətli proqram yaddaşı üçün CMOS tipli statik RAM-ın (SRAM) və dəyişməz proqram ehtiyat nüsxəsi üçün EEPROM-ların hibrid kombinasiyasını dəstəkləyən çevik arxitektura təqdim edir. Komanda sətri interpretatoru (CLIM) və blok yaddaş (BLKM) funksiyalarını bir PCB üzərində birləşdirərək şkafda yerə qənaət edir, eyni zamanda yüksək məhsuldarlıqlı mühərrik ötürücülərinin və sənaye idarəetmə sistemlərinin məlumat emalının etibarlılığını artırır.

Texniki xüsusiyyətlər

Tez-tez verilən suallar

MS4, ME3 və MS5 konfiqurasiyaları arasındakı əsas fərqlər nələrdir?

 3100-MS4 CLIM və blok yaddaş proqram təminatı ilə təchiz edilmiş əsas yaddaş platasıdır.  3100-ME3 yüksək tutumlu EEPROM yaddaşına malik və yalnız ehtiyat yaddaş platası kimi fəaliyyət göstərir.  3100-MS5 proqram təminatının icrasını kritik parametrlər üçün EEPROM ehtiyat nüsxəsi ilə birləşdirən hibrid “Əsas + Ehtiyat” həllidir.

SRAM məlumatlarının saxlanması üçün plata üzərindəki batareya necə idarə olunur?

Plata üzərindəki Ni-Cd batareyası şkaf enerji ilə təmin edildikdə avtomatik olaraq doldurulur. O, enerji kəsildikdə aşağı enerji sərfiyyatlı CMOS SRAM dövrələri üçün gərginliyi qoruyur. Nəzərə alın ki, məlumatların saxlanma müddəti ətraf mühitin temperaturundan əhəmiyyətli dərəcədə asılıdır; daha sərin mühitlər batareyanın öz-özünə boşalma dövrünü uzadır.

Eyni qrupda müxtəlif yaddaş çiplərini qarışdırmaq olarmı?

16 bitlik söz uzunluğuna nail olmaq üçün yaddaş qrupları cütlər şəklində xəritələndirilir. Buna görə də sinxronlaşdırılmış məlumat emalını təmin etmək və şin xətalarının qarşısını almaq üçün hər bir yaddaş dövrəsi cütü (məsələn, iki 32 Kbaytlıq çip) eyni tipdə və sürətdə olmalıdır.

Plata daxili gərginlik monitorinqi təmin edirmi?

Plata üzərində daxili gərginlik nəzarəti yoxdur; bunun əvəzinə sistem şinindən gələn /PWF (Enerji kəsilməsi) siqnalına əsaslanır. Bu siqnal “0” vəziyyətinə düşdükdə enerji təchizatının qeyri-sabitliyi zamanı məlumatların pozulmasının qarşısını almaq üçün bütün yaddaş seçim siqnalları bloklanır.

Mühəndislik və quraşdırma təlimatı

• Mikroaçar və keçid kalibrlənməsi: Quraşdırmadan əvvəl üç giriş/çıxış ünvan sahəsi üçün mikroaçar parametrlərini (S23, S25, S27) yoxlamalısınız. Bu plata üç ayrı köhnə tipli platanı əvəz etdiyindən, yanlış açar mövqeləri DRC arxa panelində ünvan konfliktlərinə səbəb olacaq.

• Yaddaşın xəritələndirilməsi məntiqi: Ünvan sahələri ən əhəmiyyətli ünvan biti (A14) ilə ayrılır. İki fərqli proqram xəritəsi üçün eyni fiziki dövrənin seçilməsinin qarşısını almaq məqsədilə ardıcıl xəritə ünvanlarında A14 bitlərinin fərqli vəziyyətlərdə olduğundan əmin olun.

• İstilik idarəetməsi: Kritik məlumatlar üçün batareya ilə dəstəklənən SRAM-dan istifadə edən sistemlərdə mümkün olduqda korpusun temperaturunu 40 dərəcə C-dən aşağı saxlayın. Yüksək ətraf mühit temperaturu Ni-Cd batareyasının öz-özünə boşalma sürətini əhəmiyyətli dərəcədə artırır və ümumi xidmət müddətini azaldır.

• Proqram təminatının dəyişdirilməsi: EPROM-ları (proqram təminatını) dəyişdirərkən çiplərin yuvalara düzgün istiqamətdə yerləşdirildiyindən əmin olun. Standart 27256 EPROM-larla işləyərkən sonradan yarana biləcək qapı zədələnməsinin qarşısını almaq üçün ESD-dən qorunan alətlərdən istifadə edilməlidir.