Преглед на продукта

 MEM86-3X192K (MEM86-3*192K) е високоплътна платка с памет за общо предназначение, предназначена специално за стелажните системи на цифровия контролер за задвижвания (DRC) Allen-Bradley/Stromberg. Проектирана за оптимизиране на хардуерното пространство, една MEM86-3X192K заменя до три независими стари платки MEM86-192K. Този модул предлага изключително гъвкава архитектура, поддържаща хибридна комбинация от 32 Kbyte EPROM за фърмуер, статична RAM памет от CMOS тип (SRAM) за високоскоростно съхранение на програми и EEPROM за енергонезависимо резервно копиране на програми. Чрез интегриране на функционалностите на интерпретатора на командния ред (CLIM) и блоковата памет (BLKM) върху една печатна платка той оптимизира пространството в стелажа, като същевременно повишава надеждността на обработката на данни при високопроизводителни моторни задвижвания и промишлени системи за управление.

Технически спецификации

Често задавани въпроси

Какви са основните разлики между конфигурациите MS4, ME3 и MS5?

 3100-MS4 е базовата платка с памет, оборудвана с фърмуер за CLIM и блокова памет.  3100-ME3 служи изключително като платка за резервна памет с EEPROM памет с голям капацитет.  3100-MS5 е хибридно решение „Базова + резервна“, което комбинира изпълнение на фърмуер с резервиране чрез EEPROM за критични параметри.

Как се управлява вградената батерия за запазване на данните в SRAM?

Вградената Ni-Cd батерия се зарежда автоматично, когато стелажът е под напрежение. Тя поддържа напрежението за CMOS SRAM схемите с ниска консумация по време на прекъсване на захранването. Имайте предвид, че продължителността на запазване на данните зависи силно от околната температура; по-ниските температури удължават цикъла на саморазреждане на батерията.

Мога ли да комбинирам различни чипове памет в една и съща група?

Групите памет се картографират по двойки, за да се постигне 16-битова дължина на думата. Следователно всяка двойка схеми на паметта (например два чипа по 32 Kbyte) трябва да бъде от един и същ тип и с еднаква скорост, за да се гарантира синхронизирана обработка на данните и да се предотвратят грешки на шината.

Платката разполага ли с вграден мониторинг на напрежението?

Платката няма вграден контрол на напрежението; вместо това разчита на сигнала /PWF (Power Fail) от системната шина. Ако този сигнал премине в състояние „0“, всички сигнали за избор на памет се блокират, за да се предотврати повреждане на данните при нестабилно захранване.

Ръководство за проектиране и монтаж

• Калибриране на микропревключвателите и джъмперите: Преди монтажа трябва да проверите настройките на микропревключвателите (S23, S25, S27) за трите области за I/O адреси. Тъй като тази платка заменя три отделни стари платки, неправилните позиции на превключвателите ще доведат до конфликти на адреси в задната шина на DRC.

• Логика на картографиране на паметта: Адресните области се разделят чрез най-значимия адресен бит (A14). Уверете се, че последователните адреси на картата имат различни състояния на бит A14, за да избегнете избора на една и съща физическа схема за две различни софтуерни карти.

• Термично управление: За системи, използващи SRAM с резервно захранване за критични данни, поддържайте температурата в корпуса под 40 deg C, когато е възможно. Високите околни температури значително ускоряват скоростта на саморазреждане на Ni-Cd батерията и съкращават общия ѝ експлоатационен живот.

• Подмяна на фърмуера: При подмяна на EPROM (фърмуера) се уверете, че чиповете са поставени в правилната ориентация в цоклите. Стандартните EPROM 27256 трябва да се обработват с инструменти, безопасни за работа с електростатични разряди, за да се предотвратят скрити повреди на затвора.