Ürüne Genel Bakış
MEM86-3X192K (MEM86-3*192K) , Allen-Bradley/Stromberg Dijital Referans Kontrolörü (DRC) raf sistemleri için özel olarak tasarlanmış, yüksek yoğunluklu ve genel amaçlı bir bellek kartıdır. Donanım alanını azaltmak üzere tasarlanan tek bir MEM86-3X192K , en fazla üç bağımsız MEM86-192K eski nesil kartın yerini alır. Bu modül; ürün yazılımı için 32 Kbayt EPROM'lar, yüksek hızlı program depolama için CMOS tipi Statik RAM (SRAM) ve kalıcı program yedeklemesi için EEPROM'ların birlikte kullanılabildiği son derece esnek bir mimari sunar. Komut Satırı Yorumlayıcısı (CLIM) ve Blok Bellek (BLKM) işlevlerini tek bir PCB üzerinde birleştirerek raf alanını verimli kullanır ve yüksek performanslı motor sürücüleri ile endüstriyel kontrol sistemlerinde veri işleme güvenilirliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Özellik |
Teknik değer |
| Model |
MEM86-3X192K (3100-MEM) |
| Marka |
ABB / Stromberg (Allen-Bradley uyumlu) |
| Toplam Bellek Kapasitesi |
En fazla 576 Kbayt (3 x 192 Kbayt) |
| Desteklenen Bellek Türleri |
EPROM (27256), SRAM (62256), EEPROM (28256) |
| Bellek Eşleme |
Yazılımla ayrı ayrı eşlenen 18 adet 32 Kbaytlık grup |
| Kelime Uzunluğu |
16 bit (eşlenen alan başına devre çiftleri gerektirir) |
| Güç Tüketimi (Temel) |
+5 VDC @ 1,2 A (MS4 yapılandırması için tipik) |
| Yedekleme Pili |
Varta 100 DKO, 3,6 V, 100 mAH (Ni-Cd) |
| Çalışma Sıcaklığı |
0 ila 50 deg C |
| Nem |
%5 ila %95 (yoğuşmasız) |
| Adresleme |
Mikro anahtarlar üzerinden 3 bağımsız G/Ç adres alanı |
SSS
MS4, ME3 ve MS5 yapılandırmaları arasındaki temel farklar nelerdir?
3100-MS4 , CLIM ve Blok Bellek ürün yazılımıyla donatılmış temel bellek kartıdır. 3100-ME3 , yüksek kapasiteli EEPROM depolama özelliğine sahip ve yalnızca Yedekleme Bellek Kartı olarak kullanılan modeldir. 3100-MS5 , ürün yazılımı yürütme işlevini kritik parametreler için EEPROM yedekliliğiyle birleştiren hibrit bir "Temel + Yedekleme" çözümüdür.
SRAM verilerinin korunması için kart üzerindeki pil nasıl yönetilir?
Kart üzerindeki Ni-Cd pil, raf sistemine güç verildiğinde otomatik olarak şarj edilir. Güç kesildiğinde düşük güçlü CMOS SRAM devrelerinin gerilimini korur. Saklama süresinin ortam sıcaklığına büyük ölçüde bağlı olduğunu unutmayın; daha serin ortamlar pilin kendi kendine boşalma döngüsünü uzatır.
Aynı grup içinde farklı bellek yongalarını karıştırabilir miyim?
16 bitlik kelime uzunluğu elde etmek için bellek grupları çiftler halinde eşlenir. Bu nedenle her bellek devresi çifti (örneğin iki adet 32 Kbaytlık yonga), veri işlemenin eşzamanlı olmasını ve veri yolu hatalarının önlenmesini sağlamak için aynı türde ve aynı hızda olmalıdır.
Kartta yerleşik gerilim izleme özelliği var mı?
Kartta yerleşik gerilim denetimi bulunmaz; bunun yerine sistem veri yolundan gelen /PWF (Güç Kesintisi) sinyaline dayanır. Bu sinyal "0" durumuna düşerse, güç kararsızlığı sırasında veri bozulmasını önlemek için tüm bellek seçme sinyalleri engellenir.
Mühendislik ve Kurulum Kılavuzu
-
Mikro Anahtar ve Jumper Kalibrasyonu: Kurulumdan önce üç G/Ç adres alanına ilişkin mikro anahtar ayarlarını (S23, S25, S27) doğrulamalısınız. Bu kart üç ayrı eski nesil kartın yerini aldığından, anahtarların yanlış konumda olması DRC arka panelinde adres çakışmalarına yol açar.
-
Bellek Eşleme Mantığı: Adres alanları en anlamlı adres biti (A14) ile ayrılır. İki farklı yazılım eşlemesi için aynı fiziksel devrenin seçilmesini önlemek amacıyla ardışık eşleme adreslerinin A14 bitlerinin farklı durumlarda olduğundan emin olun.
-
Termal Yönetim: Kritik veriler için pille desteklenen SRAM kullanan sistemlerde, mümkün olduğunda kabin sıcaklığını 40 deg C'nin altında tutun. Yüksek ortam sıcaklıkları Ni-Cd pilin kendi kendine boşalma hızını önemli ölçüde artırır ve toplam kullanım ömrünü kısaltır.
-
Ürün Yazılımı Değişimi: EPROM'ları (ürün yazılımını) değiştirirken yongaların soketlere doğru yönde takıldığından emin olun. Standart 27256 EPROM'lar, gizli kapı hasarını önlemek için ESD güvenli araçlar kullanılarak taşınmalıdır.