Hersteller: Mitsubishi Electric
Produkt-Nr.: GCU08BB-130 80173-109-01-2
Herkunftsland:Vereinigte Staaten
Produkttyp: Thyristoreinheit
Strichcode: 8537101190
Zahlung: T/T, Western Union
Gewicht: 1100g
Abmessungen: 48 mm x 208 mm x 250 mm (H x B x T)
Versandhafen: Xiamen
Garantie: 12 Monate
Der Mitsubishi Electric GCU08BB-130 ist eine symmetrische Hochleistungs-Gate-Commutated-Turn-off- (GCT-)Thyristoreinheit mit integrierter dedizierter GU-G08-Gate-Treiberplatine, die speziell für den Einsatz in Hochleistungswechselrichtern entwickelt wurde. Dieses industrielle Press-Pack-Bauteil verfügt über eine optimierte koaxiale Konfiguration, bei der der GCT-Halbleiter und der Gate-Treiber direkt miteinander verbunden sind, um eine Gate-Kommutierung mit geringer Induktivität und eine hohe Störfestigkeit zu erreichen. Die Einheit ermöglicht ein zuverlässiges Leistungsmanagement mit einer repetitiven Spitzensperrspannung von 6500 V und einem repetitiven steuerbaren Strom im eingeschalteten Zustand von 800 A. Unter der Herstellerkennung 80173-109-01-2 bietet der GCU08BB-130 zuverlässiges Halbleiterschalten für Stromzwischenkreis-Wechselrichter, Gleichstromsteller, Induktionsheizungen und Gleichspannungswandler.
| Parameter | Symbol | Bedingungen | Nennwert / Grenzwert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Repetitive Spitzenrückwärtsspannung | VRRM | — | 6500 | V |
| Nicht repetitive Spitzenrückwärtsspannung | VRSM | — | 6500 | V |
| Repetitive Spitzensperrspannung | VDRM | Gate-Treiber aktiviert | 6500 | V |
| Nicht repetitive Spitzensperrspannung | VDSM | Gate-Treiber aktiviert | 6500 | V |
| Langzeit-Gleichspannungsstabilität | V(LTDS) | Gate-Treiber aktiviert, lambda = 100 Fit | 3600 | V |
| Effektivwert des Stroms im eingeschalteten Zustand | IT(RMS) | Gilt für alle Zündwinkel | 520 | A |
| Mittlerer Strom im eingeschalteten Zustand | IT(AV) | Sinuswelle mit f = 60 Hz, theta = 180 Grad, Tt = 62 °C | 330 | A |
| Repetitiver steuerbarer Strom im eingeschalteten Zustand | ITQRM | VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000 V, LC = 0,3 uH, Tj = 25/125 °C | 800 | A |
| Stoßstrom im eingeschalteten Zustand | ITSM | Eine Halbperiode bei 60 Hz, Start bei Tj = 125 °C | 4.8 | kA |
| Stromquadrat-Zeit-Integration | I2t | Eine Halbperiode bei 60 Hz, Start bei Tj = 125 °C | 9,6 x 10^4 | A²s |
| Kritische Anstiegsgeschwindigkeit des Durchlassstroms | dit/dt | VD = 3000 V, IT = 800 A, Cs = 0,1 µF, Rs = 10 Ohm, Tj = 25/125 °C, f = 60 Hz | 1000 | A/µs |
| Kritische Anstiegsgeschwindigkeit des Rückwärtserholstroms | dir/dt | IT = 800 A, VA = 3000 V, Tj = 25/125 °C, Cs = 0,1 µF, Rs = 10 Ohm | 1000 | A/µs |
| Spitzenverlustleistung des vorwärtigen Gates | PFGM | — | 5 | kW |
| Spitzenverlustleistung des rückwärtigen Gates | PRGM | — | 17 | kW |
| Mittlere Verlustleistung des vorwärtigen Gates | PFG(AV) | — | 100 | W |
| Mittlere Verlustleistung des rückwärtigen Gates | PRG(AV) | — | 120 | W |
| Spitzenwert der vorwärtigen Gate-Spannung | VFGM | — | 10 | V |
| Spitzenwert der rückwärtigen Gate-Spannung | VRGM | — | 21 | V |
| Spitzenwert des vorwärtigen Gate-Stroms | IFGM | — | 500 | A |
| Spitzenwert des rückwärtigen Gate-Stroms | IRGM | — | 800 | A |
| Parameter | Symbol | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Durchlassspannung | VTM | IT = 400 A, Tj = 125 °C | — | — | 5.5 | V |
| Periodischer Spitzen-Rückwärtsstrom | IRRM | VRM = 6500 V, Tj = 125 °C | — | — | 250 | mA |
| Periodischer Spitzen-Sperrstrom | IDRM | VDM = 6500 V, Tj = 125 °C, Gate-Treiber aktiviert | — | — | 100 | mA |
| Rückwärtiger Gate-Strom | IGRM | VRG = 21 V, Tj = 125 °C | — | — | 40 | mA |
| Kritische Anstiegsgeschwindigkeit der Sperrzustandsspannung | dv/dt | VD = 3000 V, Tj = 125 °C, Gate-Treiber aktiviert (Exponentialwelle) | 3000 | — | — | V/µs |
| Einschaltzeit | tgt | Tj = 125 °C, IT = 800 A, VD = 3000 V, Cs = 0,1 µF, Rs = 10 Ohm | — | — | 5 | us |
| Einschaltverzögerungszeit | td | Tj = 125 °C, IT = 800 A, VD = 3000 V, Cs = 0,1 µF, Rs = 10 Ohm | — | — | 1 | us |
| Einschalt-Schaltenergie | Eon | IT = 400 A, VD = 3000 V, di/dt = 1000 A/µs, Cs = 0,1 µF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C | — | — | 0.6 | J/P |
| Speicherzeit | ts | IT = 800 A, VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000 V, Cs = 0,1 µF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C | — | — | 3 | us |
| Ausschalt-Schaltenergie | Eoff | IT = 400 A, VDM = 4000 V, VD = 3000 V, Cs = 0,1 µF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C | — | — | 2.3 | J/P |
| Rückwärtserholladung | QRR | VA = 3000 V, IT = 400 A, di/dt = 1000 A/µs | — | — | 1800 | µC |
| Rückwärtserholenergie | Erec | Cs = 0,1 µF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C | — | — | 4.4 | J/P |
| Gate-Zündstrom | IGT | VD = 24 V, RL = 0,1 Ohm, Tj = 25 °C | — | — | 0.5 | A |
| Gate-Zündspannung | VGT | Gleichstromverfahren | — | — | 1.5 | V |
| Parameter | Symbol | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Versorgungsspannung | VGIN | Gleichstromversorgungseingang über Phoenix-Stecker | 19 | 20 | 21 | V |
| Gate-Leistungsaufnahme | PGIN | IT = 420 Arms, f = 780 Hz, Tastverhältnis = 0,33 | — | — | 35 | W |
| Verzögerungszeit des Einschalt-Gatestroms | tfd | Ta = 25 °C | — | — | 3.0 | us |
| Verzögerungszeit des Ausschalt-Gatestroms | trd | Ta = 25 °C | — | — | 3.0 | us |
| Parameter | Symbol | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Montagekraft | FM | Erforderliche Kompressionsbegrenzung | 11.1 | 13 | 15.8 | kN |
| Gewicht | — | Masse des Basismoduls | — | 1100 | — | g |
| Durchmesser des Polstücks | — | Passprofil der GCT-Komponente (±0.2mm) | — | 47 | — | mm |
| Gehäusedicke | — | Dicke der GCT-Komponente (±0.5mm) | — | 26 | — | mm |
| Betriebstemperatur des Übergangs | Tj | Dauerbetrieb | -10 | — | 125 | degC |
| Lagertemperatur | Tstg | Umgebung | -10 | — | 60 | degC |
| Umgebungstemperatur im Betrieb | Ta | Luft im lokalen Gehäuse (Empfohlen <= 40 degC) | -10 | — | 60 | degC |
| Thermischer Widerstand vom Übergang zur Kühlrippe | Rth(j-f) | Doppelseitige Kühlkonfiguration | — | — | 0.025 | K/W |
| Schnittstelle / Anschlussbezeichnung | Komponente / Typenbezeichnung | Funktion |
|---|---|---|
| 20V-Versorgungseingang | Phoenix Contact MSTB2.5/2-G-5.08AU | Hauptversorgungseingang mit 20VDC für die Gate-Treiberplatine |
| Glasfaser-Eingang | Agilent HFBR-2521 | Empfängeranschluss für externe optische Steuerimpulsleitungen |
| Fehlersignalausgang | Agilent HFBR-1521 | Senderanschluss für optische Rückmeldung und die Überwachung des Treiberstatus |
| Gate-Prüfpunkt | Platinenklemmenstift | Physischer Messpunkt für das Gate-Potenzial |
| Kathodenprüfpunkt | Platinenklemmenstift | Physischer Messpunkt für das Kathodenpotenzial |
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| Country of origin |
Vereinigte Staaten
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