Manufacturer: Mitsubishi Electric
Product No.: GCU08BB-130 80173-109-01-2
Country of origin:United States
Product Type: Unità a tiristori
Barcode: 8537101190
Payment: T/T, Western Union
Weight: 1100g
Dimensions: 48 mm x 208 mm x 250 mm (A x L x P)
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months
Il Mitsubishi Electric GCU08BB-130 è un'unità a tiristore Gate Commutated Turn-off (GCT) simmetrica ad alta potenza, integrata con un gruppo scheda driver di gate dedicato GU-G08, progettata specificamente per l'uso in inverter ad alta potenza. Questo dispositivo industriale di tipo press-pack presenta una configurazione coassiale ottimizzata in cui il semiconduttore GCT e il driver di gate sono interconnessi direttamente per ottenere una commutazione del gate a bassa induttanza e un'elevata immunità ai disturbi. L'unità offre una gestione critica della potenza con una tensione di interdizione di picco ripetitiva di 6500V e una corrente di stato ON controllabile ripetitiva di 800A. Con identificativo del produttore 80173-109-01-2, il GCU08BB-130 garantisce una commutazione allo stato solido affidabile per inverter a sorgente di corrente, chopper CC, riscaldatori a induzione e convertitori CC-CC.
| Parametro | Simbolo | Condizioni | Valore nominale / Limite | Unità |
|---|---|---|---|---|
| Tensione inversa di picco ripetitiva | VRRM | — | 6500 | V |
| Tensione inversa di picco non ripetitiva | VRSM | — | 6500 | V |
| Tensione di interdizione di picco ripetitiva | VDRM | Driver di gate alimentato | 6500 | V |
| Tensione di interdizione di picco non ripetitiva | VDSM | Driver di gate alimentato | 6500 | V |
| Tensione di stabilità CC a lungo termine | V(LTDS) | Driver di gate alimentato, lambda = 100 Fit | 3600 | V |
| Corrente efficace di stato ON | IT(RMS) | Applicata per tutti gli angoli di conduzione | 520 | A |
| Corrente media di stato ON | IT(AV) | Onda sinusoidale f = 60Hz, theta = 180 gradi, Tt = 62 degC | 330 | A |
| Corrente di stato ON controllabile ripetitiva | ITQRM | VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000V, LC = 0.3 uH, Tj = 25/125 degC | 800 | A |
| Corrente di stato ON di picco non ripetitiva | ITSM | Un semiperiodo a 60Hz, inizio a Tj = 125 degC | 4.8 | kA |
| Integrazione nel tempo del quadrato della corrente | I2t | Un semiperiodo a 60Hz, inizio a Tj = 125 degC | 9.6 x 10^4 | A2s |
| Velocità critica di aumento della corrente nello stato di conduzione | dit/dt | VD = 3000V, IT = 800A, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 25/125 degC, f = 60Hz | 1000 | A/us |
| Velocità critica di aumento della corrente di recupero inverso | dir/dt | IT = 800A, VA = 3000V, Tj = 25/125 degC, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm | 1000 | A/us |
| Dissipazione di potenza diretta di picco del gate | PFGM | — | 5 | kW |
| Dissipazione di potenza inversa di picco del gate | PRGM | — | 17 | kW |
| Dissipazione media di potenza diretta del gate | PFG(AV) | — | 100 | W |
| Dissipazione media di potenza inversa del gate | PRG(AV) | — | 120 | W |
| Tensione diretta di picco del gate | VFGM | — | 10 | V |
| Tensione inversa di picco del gate | VRGM | — | 21 | V |
| Corrente diretta di picco del gate | IFGM | — | 500 | A |
| Corrente inversa di picco del gate | IRGM | — | 800 | A |
| Parametro | Simbolo | Condizioni | Min | Tip | Max | Unità |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tensione nello stato di conduzione | VTM | IT = 400A, Tj = 125 degC | — | — | 5.5 | V |
| Corrente inversa di picco ripetitiva | IRRM | VRM = 6500V, Tj = 125 degC | — | — | 250 | mA |
| Corrente di interdizione di picco ripetitiva | IDRM | VDM = 6500V, Tj = 125 degC, driver di gate alimentato | — | — | 100 | mA |
| Corrente inversa di gate | IGRM | VRG = 21V, Tj = 125 degC | — | — | 40 | mA |
| Velocità critica di aumento della tensione nello stato di interdizione | dv/dt | VD = 3000V, Tj = 125 degC, driver di gate alimentato (onda esponenziale) | 3000 | — | — | V/us |
| Tempo di accensione | tgt | Tj = 125 degC, IT = 800A, VD = 3000V, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm | — | — | 5 | us |
| Tempo di ritardo all'accensione | td | Tj = 125 degC, IT = 800A, VD = 3000V, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm | — | — | 1 | us |
| Energia di commutazione all'accensione | Eon | IT = 400A, VD = 3000V, di/dt = 1000A/us, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 degC | — | — | 0.6 | J/P |
| Tempo di immagazzinamento | ts | IT = 800A, VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000V, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 degC | — | — | 3 | us |
| Energia di commutazione allo spegnimento | Eoff | IT = 400A, VDM = 4000V, VD = 3000V, Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 degC | — | — | 2.3 | J/P |
| Carica di recupero inverso | QRR | VA = 3000V, IT = 400A, di/dt = 1000A/us | — | — | 1800 | uC |
| Energia di recupero inverso | Erec | Cs = 0.1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 degC | — | — | 4.4 | J/P |
| Corrente di innesco del gate | IGT | VD = 24V, RL = 0.1 Ohm, Tj = 25 degC | — | — | 0.5 | A |
| Tensione di innesco del gate | VGT | Metodo CC | — | — | 1.5 | V |
| Parametro | Simbolo | Condizioni | Min | Tip | Max | Unità |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tensione di alimentazione | VGIN | Ingresso dell'alimentazione CC tramite connettore Phoenix | 19 | 20 | 21 | V |
| Consumo di potenza del gate | PGIN | IT = 420Arms, f = 780Hz, duty = 0.33 | — | — | 35 | W |
| Tempo di ritardo della corrente di gate all'accensione | tfd | Ta = 25 degC | — | — | 3.0 | us |
| Tempo di ritardo della corrente di gate allo spegnimento | trd | Ta = 25 degC | — | — | 3.0 | us |
| Parametro | Simbolo | Condizioni | Min | Tip | Max | Unità |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Forza di montaggio | FM | Limitazione della compressione richiesta | 11.1 | 13 | 15.8 | kN |
| Peso | — | Massa del modulo base | — | 1100 | — | g |
| Diametro del elemento polare | — | Profilo di accoppiamento del componente GCT (±0.2mm) | — | 47 | — | mm |
| Spessore dell'alloggiamento | — | Spessore del componente GCT (±0.5mm) | — | 26 | — | mm |
| Temperatura di esercizio del giunto | Tj | Funzionamento continuo | -10 | — | 125 | degC |
| Temperatura di stoccaggio | Tstg | Ambiente circostante | -10 | — | 60 | degC |
| Temperatura ambiente di esercizio | Ta | Aria locale dell'alloggiamento (consigliato <= 40 degC) | -10 | — | 60 | degC |
| Resistenza termica dal giunto all'aletta | Rth(j-f) | Configurazione di raffreddamento su entrambi i lati | — | — | 0.025 | K/W |
| Nome dell'interfaccia / del connettore | Identificatore del componente / tipo | Funzione |
|---|---|---|
| Ingresso dell'alimentazione a 20V | Phoenix Contact MSTB2.5/2-G-5.08AU | Ingresso dell'alimentazione principale a 20VCC per la scheda del driver del gate |
| Ingresso in fibra ottica | Agilent HFBR-2521 | Porta del ricevitore per le linee esterne di impulsi di controllo ottici |
| Uscita del segnale di guasto | Agilent HFBR-1521 | Porta del trasmettitore per il feedback ottico e il monitoraggio dello stato del driver |
| Punto di test del gate | Pin del terminale sulla scheda | Punto fisico per la misurazione del potenziale del gate |
| Punto di test del catodo | Pin del terminale sulla scheda | Punto fisico per la misurazione del potenziale del catodo |
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