IC693CPU360 vs IC693CPU364: Ethernet e Orçamento de Energia
Compare a interface Ethernet, a carga de +5 VCC, a memória, os limites de rack e as verificações de substituição do IC693CPU360 e do IC693CPU364.
Fabricante: Mitsubishi Electric
Nº do Produto: GCU08BB-130 80173-109-01-2
País de origem:Estados Unidos
Tipo de Produto: Unidade de tiristor
Código de barras: 8537101190
Pagamento: T/T, Western Union
Peso: 1100g
Dimensões: 48 mm x 208 mm x 250 mm (A x L x P)
Porto de embarque: Xiamen
Garantia: 12 meses
O Mitsubishi Electric GCU08BB-130 é uma unidade de tiristor Gate Commutated Turn-off (GCT) simétrico de alta potência, integrada a um conjunto de placa de driver de gate dedicado GU-G08, projetada especificamente para uso em inversores de alta potência. Este dispositivo industrial do tipo press-pack apresenta uma configuração coaxial otimizada, na qual o semicondutor GCT e o driver de gate são interconectados diretamente para proporcionar comutação do gate de baixa indutância e alta imunidade a ruídos. A unidade oferece gerenciamento crítico de potência, com tensão de pico de estado desligado repetitiva de 6500V e corrente de estado ligado controlável repetitiva de 800A. Com a identificação do fabricante 80173-109-01-2, o GCU08BB-130 proporciona comutação confiável de estado sólido para inversores de fonte de corrente, choppers CC, aquecedores por indução e conversores CC-CC.
| Parâmetro | Símbolo | Condições | Especificação / Limite | Unidade |
|---|---|---|---|---|
| Tensão de pico reversa repetitiva | VRRM | — | 6500 | V |
| Tensão de pico reversa não repetitiva | VRSM | — | 6500 | V |
| Tensão de pico de estado desligado repetitiva | VDRM | Driver de gate energizado | 6500 | V |
| Tensão de pico de estado desligado não repetitiva | VDSM | Driver de gate energizado | 6500 | V |
| Tensão de estabilidade CC de longo prazo | V(LTDS) | Driver de gate energizado, lambda = 100 Fit | 3600 | V |
| Corrente RMS de estado ligado | IT(RMS) | Aplicado para todos os ângulos de condição | 520 | A |
| Corrente média de estado ligado | IT(AV) | onda senoidal de f = 60Hz, theta = 180 graus, Tt = 62 °C | 330 | A |
| Corrente de estado ligado controlável repetitiva | ITQRM | VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000V, LC = 0.3 uH, Tj = 25/125 °C | 800 | A |
| Corrente de estado ligado de surto | ITSM | Um semiciclo a 60 Hz, início em Tj = 125 °C | 4.8 | kA |
| Integração de tempo do quadrado da corrente | I2t | Um semiciclo a 60 Hz, início em Tj = 125 °C | 9,6 x 10^4 | A2s |
| Taxa crítica de aumento da corrente no estado ligado | dit/dt | VD = 3000 V, IT = 800 A, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 25/125 °C, f = 60 Hz | 1000 | A/us |
| Taxa crítica de aumento da corrente de recuperação reversa | dir/dt | IT = 800 A, VA = 3000 V, Tj = 25/125 °C, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm | 1000 | A/us |
| Dissipação de potência direta de pico do gate | PFGM | — | 5 | kW |
| Dissipação de potência reversa de pico do gate | PRGM | — | 17 | kW |
| Dissipação média de potência direta do gate | PFG(AV) | — | 100 | W |
| Dissipação média de potência reversa do gate | PRG(AV) | — | 120 | W |
| Tensão direta de pico do gate | VFGM | — | 10 | V |
| Tensão reversa de pico do gate | VRGM | — | 21 | V |
| Corrente direta de pico do gate | IFGM | — | 500 | A |
| Corrente reversa de pico do gate | IRGM | — | 800 | A |
| Parâmetro | Símbolo | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tensão no estado ligado | VTM | IT = 400 A, Tj = 125 °C | — | — | 5.5 | V |
| Corrente reversa de pico repetitiva | IRRM | VRM = 6500 V, Tj = 125 °C | — | — | 250 | mA |
| Corrente de pico repetitiva no estado desligado | IDRM | VDM = 6500 V, Tj = 125 °C, driver do gate energizado | — | — | 100 | mA |
| Corrente reversa do gate | IGRM | VRG = 21 V, Tj = 125 °C | — | — | 40 | mA |
| Taxa crítica de aumento da tensão no estado desligado | dv/dt | VD = 3000 V, Tj = 125 °C, driver do gate energizado (onda exponencial) | 3000 | — | — | V/us |
| Tempo de ligação | tgt | Tj = 125 °C, IT = 800 A, VD = 3000 V, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm | — | — | 5 | us |
| Tempo de atraso na ligação | td | Tj = 125 °C, IT = 800 A, VD = 3000 V, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm | — | — | 1 | us |
| Energia de comutação na ligação | Eon | IT = 400 A, VD = 3000 V, di/dt = 1000 A/us, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C | — | — | 0.6 | J/P |
| Tempo de armazenamento | ts | IT = 800 A, VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000 V, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C | — | — | 3 | us |
| Energia de comutação no desligamento | Eoff | IT = 400 A, VDM = 4000 V, VD = 3000 V, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C | — | — | 2.3 | J/P |
| Carga de recuperação reversa | QRR | VA = 3000 V, IT = 400 A, di/dt = 1000 A/us | — | — | 1800 | uC |
| Energia de recuperação reversa | Erec | Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C | — | — | 4.4 | J/P |
| Corrente de disparo do gate | IGT | VD = 24 V, RL = 0,1 Ohm, Tj = 25 °C | — | — | 0.5 | A |
| Tensão de disparo do gate | VGT | Método CC | — | — | 1.5 | V |
| Parâmetro | Símbolo | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tensão da fonte de alimentação | VGIN | Entrada da fonte de alimentação CC via conector Phoenix | 19 | 20 | 21 | V |
| Consumo de energia do gate | PGIN | IT = 420 Arms, f = 780 Hz, ciclo de trabalho = 0,33 | — | — | 35 | W |
| Tempo de atraso da corrente de ligação do gate | tfd | Ta = 25 °C | — | — | 3.0 | us |
| Tempo de atraso da corrente de desligamento do gate | trd | Ta = 25 °C | — | — | 3.0 | us |
| Parâmetro | Símbolo | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Força de montagem | FM | Fixação da compressão necessária | 11.1 | 13 | 15.8 | kN |
| Peso | — | Massa do módulo de base | — | 1100 | — | g |
| Diâmetro da peça polar | — | Perfil de acoplamento do componente GCT (±0,2 mm) | — | 47 | — | mm |
| Espessura da carcaça | — | Espessura do componente GCT (±0,5 mm) | — | 26 | — | mm |
| Temperatura de operação da junção | Tj | Operação contínua | -10 | — | 125 | °C |
| Temperatura de armazenamento | Tstg | Ambiente | -10 | — | 60 | °C |
| Temperatura ambiente de operação | Ta | Ar local do gabinete (recomendado <= 40 °C) | -10 | — | 60 | °C |
| Resistência térmica da junção à aleta | Rth(j-f) | Configuração de resfriamento em ambos os lados | — | — | 0.025 | K/W |
| Nome da interface/conector | Identificador do componente/tipo | Função |
|---|---|---|
| Entrada da fonte de alimentação de 20V | Phoenix Contact MSTB2.5/2-G-5.08AU | Entrada principal da fonte de alimentação de 20VCC para a placa do driver do gate |
| Entrada de fibra óptica | Agilent HFBR-2521 | Porta do receptor para linhas externas de pulso de controle óptico |
| Saída de sinal de falha | Agilent HFBR-1521 | Porta do transmissor para feedback óptico e monitoramento do status do driver |
| Ponto de teste do gate | Pino do terminal na placa | Ponto físico para medir o potencial do gate |
| Ponto de teste do cátodo | Pino do terminal na placa | Ponto físico para medir o potencial do cátodo |
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