| Tensão no estado ligado |
VTM |
IT = 400 A, Tj = 125 °C |
— |
— |
5.5 |
V |
| Corrente reversa de pico repetitiva |
IRRM |
VRM = 6500 V, Tj = 125 °C |
— |
— |
250 |
mA |
| Corrente de pico repetitiva no estado desligado |
IDRM |
VDM = 6500 V, Tj = 125 °C, acionador do gate energizado |
— |
— |
100 |
mA |
| Corrente reversa do gate |
IGRM |
VRG = 21 V, Tj = 125 °C |
— |
— |
40 |
mA |
| Taxa crítica de aumento da tensão no estado desligado |
dv/dt |
VD = 3000 V, Tj = 125 °C, acionador do gate energizado (onda exponencial) |
3000 |
— |
— |
V/us |
| Tempo de ligação |
tgt |
Tj = 125 °C, IT = 800 A, VD = 3000 V, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm |
— |
— |
5 |
us |
| Tempo de atraso na ligação |
td |
Tj = 125 °C, IT = 800 A, VD = 3000 V, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm |
— |
— |
1 |
us |
| Energia de comutação na ligação |
Eon |
IT = 400 A, VD = 3000 V, di/dt = 1000 A/us, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C |
— |
— |
0.6 |
J/P |
| Tempo de armazenamento |
ts |
IT = 800 A, VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000 V, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C |
— |
— |
3 |
us |
| Energia de comutação no desligamento |
Eoff |
IT = 400 A, VDM = 4000 V, VD = 3000 V, Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C |
— |
— |
2.3 |
J/P |
| Carga de recuperação reversa |
QRR |
VA = 3000 V, IT = 400 A, di/dt = 1000 A/us |
— |
— |
1800 |
uC |
| Energia de recuperação reversa |
Erec |
Cs = 0,1 uF, Rs = 10 Ohm, Tj = 125 °C |
— |
— |
4.4 |
J/P |
| Corrente de disparo do gate |
IGT |
VD = 24 V, RL = 0,1 Ohm, Tj = 25 °C |
— |
— |
0.5 |
A |
| Tensão de disparo do gate |
VGT |
Método CC |
— |
— |
1.5 |
V |