IC693CPU360 vs IC693CPU364: Ethernet y presupuesto de potencia
Compara el IC693CPU360 y el IC693CPU364 en cuanto a interfaz Ethernet, carga de +5 VCC, memoria, límites de bastidores y comprobaciones de reemplazo.
Fabricante: Mitsubishi Electric
Número de producto: GCU08BB-130 80173-109-01-2
País de origen:Estados Unidos
Tipo de producto: Unidad de tiristores
Código de barras: 8537101190
Pago: Transferencia bancaria, Western Union
Peso: 1100g
Dimensiones: 48 mm x 208 mm x 250 mm (alto x W x profundidad)
Puerto de envío: Xiamen
Garantía: 12 meses
El Mitsubishi Electric GCU08BB-130 es una unidad de tiristor simétrico de apagado conmutado por puerta (GCT) de alta potencia, integrada con un conjunto de placa controladora de puerta GU-G08 dedicada y diseñada específicamente para su uso en inversores de alta potencia. Este dispositivo industrial de tipo encapsulado a presión presenta una configuración coaxial optimizada en la que el semiconductor GCT y el controlador de puerta están interconectados directamente para lograr una conmutación de puerta de baja inductancia y una sólida inmunidad al ruido. La unidad proporciona una gestión de potencia esencial, con una tensión máxima repetitiva en estado de bloqueo de 6500 V y una corriente de estado activo controlable repetitiva de 800 A. Con la identificación del fabricante 80173-109-01-2, el GCU08BB-130 ofrece una conmutación fiable de estado sólido para inversores de fuente de corriente, troceadores de CC, calentadores por inducción y convertidores de CC a CC.
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valores nominales / Límite | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión inversa máxima repetitiva | VRRM | — | 6500 | V |
| Tensión inversa máxima no repetitiva | VRSM | — | 6500 | V |
| Tensión máxima repetitiva en estado de bloqueo | VDRM | Controlador de puerta activado | 6500 | V |
| Tensión máxima no repetitiva en estado de bloqueo | VDSM | Controlador de puerta activado | 6500 | V |
| Tensión de estabilidad de CC a largo plazo | V(LTDS) | Controlador de puerta activado, lambda = 100 Fit | 3600 | V |
| Corriente eficaz de estado activo | IT(RMS) | Aplicado para todos los ángulos de condición | 520 | A |
| Corriente media de estado activo | IT(AV) | Onda sinusoidal de f = 60 Hz, theta = 180 grados, Tt = 62 °C | 330 | A |
| Corriente de estado activo controlable repetitiva | ITQRM | VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000 V, LC = 0,3 uH, Tj = 25/125 °C | 800 | A |
| Corriente de estado activo de sobretensión | ITSM | Medio ciclo a 60 Hz, inicio a Tj = 125 °C | 4.8 | kA |
| Integración en el tiempo de la corriente al cuadrado | I2t | Medio ciclo a 60 Hz, inicio a Tj = 125 °C | 9.6 x 10^4 | A2s |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente en estado de conducción | dit/dt | VD = 3000 V, IT = 800 A, Cs = 0.1 µF, Rs = 10 ohmios, Tj = 25/125 °C, f = 60 Hz | 1000 | A/us |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de recuperación inversa | dir/dt | IT = 800 A, VA = 3000 V, Tj = 25/125 °C, Cs = 0.1 µF, Rs = 10 ohmios | 1000 | A/us |
| Disipación máxima de potencia directa de compuerta | PFGM | — | 5 | kW |
| Disipación máxima de potencia inversa de compuerta | PRGM | — | 17 | kW |
| Disipación media de potencia directa de compuerta | PFG(AV) | — | 100 | W |
| Disipación media de potencia inversa de compuerta | PRG(AV) | — | 120 | W |
| Tensión directa máxima de compuerta | VFGM | — | 10 | V |
| Tensión inversa máxima de compuerta | VRGM | — | 21 | V |
| Corriente directa máxima de compuerta | IFGM | — | 500 | A |
| Corriente inversa máxima de compuerta | IRGM | — | 800 | A |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tensión en estado de conducción | VTM | IT = 400 A, Tj = 125 °C | — | — | 5.5 | V |
| Corriente inversa máxima repetitiva | IRRM | VRM = 6500 V, Tj = 125 °C | — | — | 250 | mA |
| Corriente máxima repetitiva en estado de bloqueo | IDRM | VDM = 6500 V, Tj = 125 °C, controlador de compuerta activado | — | — | 100 | mA |
| Corriente inversa de compuerta | IGRM | VRG = 21 V, Tj = 125 °C | — | — | 40 | mA |
| Velocidad crítica de aumento de la tensión en estado de bloqueo | dv/dt | VD = 3000 V, Tj = 125 °C, controlador de compuerta activado (onda exponencial) | 3000 | — | — | V/us |
| Tiempo de encendido | tgt | Tj = 125 °C, IT = 800 A, VD = 3000 V, Cs = 0.1 µF, Rs = 10 ohmios | — | — | 5 | us |
| Tiempo de retardo de encendido | td | Tj = 125 °C, IT = 800 A, VD = 3000 V, Cs = 0.1 µF, Rs = 10 ohmios | — | — | 1 | us |
| Energía de conmutación de encendido | Eon | IT = 400 A, VD = 3000 V, di/dt = 1000 A/us, Cs = 0.1 µF, Rs = 10 ohmios, Tj = 125 °C | — | — | 0.6 | J/P |
| Tiempo de almacenamiento | ts | IT = 800 A, VDM = 3/4 VDRM, VD = 3000 V, Cs = 0.1 µF, Rs = 10 ohmios, Tj = 125 °C | — | — | 3 | us |
| Energía de conmutación de apagado | Eoff | IT = 400 A, VDM = 4000 V, VD = 3000 V, Cs = 0.1 µF, Rs = 10 ohmios, Tj = 125 °C | — | — | 2.3 | J/P |
| Carga de recuperación inversa | QRR | VA = 3000 V, IT = 400 A, di/dt = 1000 A/us | — | — | 1800 | uC |
| Energía de recuperación inversa | Erec | Cs = 0.1 µF, Rs = 10 ohmios, Tj = 125 °C | — | — | 4.4 | J/P |
| Corriente de disparo de la compuerta | IGT | VD = 24 V, RL = 0.1 ohmios, Tj = 25 °C | — | — | 0.5 | A |
| Tensión de disparo de la compuerta | VGT | Método de CC | — | — | 1.5 | V |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tensión de alimentación | VGIN | Entrada de alimentación de CC mediante conector Phoenix | 19 | 20 | 21 | V |
| Consumo de potencia de la compuerta | PGIN | IT = 420 Arms, f = 780 Hz, ciclo de trabajo = 0.33 | — | — | 35 | W |
| Tiempo de retardo de la corriente de compuerta de encendido | tfd | Ta = 25 °C | — | — | 3.0 | us |
| Tiempo de retardo de la corriente de compuerta de apagado | trd | Ta = 25 °C | — | — | 3.0 | us |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Fuerza de montaje | FM | Limitación de compresión requerida | 11.1 | 13 | 15.8 | kN |
| Peso | — | Masa del módulo base | — | 1100 | — | g |
| Diámetro de la pieza polar | — | Perfil de acoplamiento del componente GCT (±0.2mm) | — | 47 | — | mm |
| Espesor de la carcasa | — | Espesor del componente GCT (±0.5mm) | — | 26 | — | mm |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | Tj | Funcionamiento continuo | -10 | — | 125 | degC |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | Entorno ambiental | -10 | — | 60 | degC |
| Temperatura ambiente de funcionamiento | Ta | Aire local de la carcasa (recomendado: <= 40 degC) | -10 | — | 60 | degC |
| Resistencia térmica de la unión a la aleta | Rth(j-f) | Configuración de refrigeración de doble cara | — | — | 0.025 | K/W |
| Nombre de la interfaz / conector | Identificador del componente / tipo | Función |
|---|---|---|
| Entrada de alimentación de 20V | Phoenix Contact MSTB2.5/2-G-5.08AU | Entrada de alimentación principal de 20VCC para la placa del controlador de compuerta |
| Entrada de fibra óptica | Agilent HFBR-2521 | Puerto receptor para líneas externas de pulsos de control óptico |
| Salida de señal de fallo | Agilent HFBR-1521 | Puerto transmisor para la realimentación óptica y el seguimiento del estado del controlador |
| Punto de prueba de la compuerta | Pin del terminal de la placa | Punto físico para medir el potencial de la compuerta |
| Punto de prueba del cátodo | Pin del terminal de la placa | Punto físico para medir el potencial del cátodo |
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