Módulo IGCT ABB 3BHE022333R0101 GV C713 A101 5SHX 0660F0002 5SXE 05-0158

Descripción

El ABB 3BHE022333R0101 GV C713 A101 5SHX 0660F0002 es un conjunto completo e integrado de módulo IGCT diseñado para sistemas de conversión electrónica de alta potencia. Al combinar la placa de disparo 3BHE022333R0101 GV C713 A101 (0,5 kg) con el semiconductor IGCT de conducción inversa de 51 mm 5SHX 0660F0002 (3BHB018104R0001) (0,9 kg), este módulo proporciona una solución optimizada de conmutación de potencia con baja inductancia y un peso neto total combinado de 1,4 kg. El módulo IGCT 3BHE022333R0101 GV C713 A101 5SHX 0660F0002 garantiza una conmutación rápida de apagado de compuerta y un control de impulsos de alta corriente en accionamientos de media tensión, paneles de excitación y sistemas de conversión de energía.

Características

• Módulo de potencia IGCT totalmente integrado que combina la electrónica de disparo con un semiconductor RC-IGCT de 51 mm.
• Diseñado para lograr una inductancia extremadamente baja en el circuito de compuerta y un apagado rápido durante la conmutación.
• Integración directa de la placa con el semiconductor para una distribución óptima de la corriente de impulsos.
• Construcción mecánica de alta resistencia diseñada para entornos de conversión de potencia de media tensión.

Aplicaciones

• Convertidores de frecuencia industriales de media tensión y accionamientos de CA.
• Compensadores estáticos de VAR (SVC) y sistemas flexibles de transmisión de CA (FACTS).
• Sistemas de excitación de alta potencia para generadores y máquinas síncronas.
• Convertidores de potencia conectados a la red e inversores de energías renovables.

Especificaciones técnicas

Directrices de instalación

• Aísle todos los circuitos del enlace de CC de alta tensión y la alimentación auxiliar de control antes de instalar o realizar tareas de mantenimiento en el módulo.
• Siga estrictamente los procedimientos de manipulación para evitar descargas electrostáticas (ESD) al tocar los componentes de la placa de disparo o las conexiones de compuerta del semiconductor.
• Asegúrese de que la superficie esté limpia y de cumplir con el par de apriete adecuado durante la sujeción del conjunto para lograr un contacto eléctrico y térmico óptimo.
• Mantenga vías de ventilación despejadas alrededor del circuito de disparo para evitar la acumulación térmica durante el funcionamiento continuo a alta potencia.