IC693CPU360 vs IC693CPU364: Ethernet and Power Budget
Compare the IC693CPU360 and IC693CPU364 by Ethernet interface, +5 VDC load, memory, rack limits, and replacement checks.
Hersteller: ABB
Produkt-Nr.: 3BHE019719R0101 5SHX 1960L0006
Herkunftsland:Schweden
Produkttyp: IGCT-Modul
Zahlung: T/T, Western Union
Gewicht: 3000g
Versandhafen: Xiamen
Garantie: 12 Monate
Das ABB 3BHB016120R0002 (5SHX 1960L0006) ist ein leistungsstarkes Reverse-Conducting Integrated Gate-Commutated Thyristor-Modul (RC-IGCT), das mit der 91-mm-Gate-Einheit 3BHE019719R0101 (GV C736 BE101) integriert ist. Diese Baugruppe wurde für industrielle Mittelspannungsantriebsarchitekturen entwickelt und dient als zentrale Halbleiterschaltkomponente innerhalb wassergekühlter Mittelspannungs-AC-Antriebe ABB ACS 5000.
Die integrierte Leiterplatte der Gate-Treiberbaugruppe ist direkt um den 91-mm-Press-Pack-Halbleiterwafer montiert und stellt eine Verbindung mit extrem niedriger Induktivität her, die für die schnelle Kommutierung des Gate-Stroms erforderlich ist. Die RC-IGCT-Baugruppe kombiniert schnelles Schaltverhalten mit einer integrierten Rückwärtsdiode und ermöglicht dadurch eine effiziente Leistungsumwandlung, zuverlässige Schaltsteuerung und Fehlerschutz in anspruchsvollen Hochleistungs-Antriebszweigen.
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Hersteller | ABB |
| Produkt-ID des IGCT-Moduls | 3BHB016120R0002 |
| Typenbezeichnung des IGCT | 5SHX 1960L0006 |
| Gerätekategorie des IGCT | RC-IGCT (Reverse-Conducting IGCT) |
| Produkt-ID der Gate-Einheit | 3BHE019719R0101 |
| Typenbezeichnung der Gate-Einheit | GV C736 BE101 |
| Größe der Gate-Einheit | 91 mm |
| Kompatibles Antriebssystem | ACS 5000 wassergekühlt |
| Nettogewicht der Gate-Einheit | 1.36 kg |
| Nettogewicht des IGCT-Moduls | 3.33 kg |
| Ursprungsland der Gate-Einheit | China (CN) |
| Ursprungsland des IGCT-Moduls | Schweiz (CH) |
| Schnittstelle | Funktion |
|---|---|
| Lichtwellenleiter-Ports | Optisch isolierte Ein-/Ausgangskanäle für Zündsignale des Gates und Statusrückmeldungen des Moduls |
| Ringelektroden-Schnittstelle | Direkte Verbindung mit niedriger Induktivität zwischen der Gate-Einheitsplatine und der Gate-Kathoden-Struktur des IGCT |
| Hilfsstromversorgungsschnittstelle | Anschlüsse für die lokale Hilfsstromversorgung zur Ansteuerung der Schaltungen der Gate-Einheit |
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| Country of origin |
Schweden
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