| Fabricant |
Mitsubishi Electric Corporation |
| Numéro de modèle |
GCU08CB-130 |
| Code de référence de la carte mère interne |
80173-109-01-3 |
| Classification du produit |
Unité thyristor GCT |
| Type de construction du boîtier |
Type à boîtier press-pack |
| Tension inverse de crête répétitive (VRRM) |
6500 V |
| Tension inverse de crête non répétitive (VRSM) |
6500 V |
| Tension de crête répétitive à l’état bloqué (VDRM) |
6500 V |
| Tension de crête non répétitive à l’état bloqué (VDSM) |
6500 V |
| Tension de stabilité CC à long terme (V(LTDS)) |
3600 V |
| Courant efficace à l’état passant (IT(RMS)) |
800 A |
| Courant moyen à l’état passant (IT(AV)) |
520 A maximum (330 A nominal) |
| Courant à l’état passant contrôlable répétitif (ITQRM) |
800 A |
| Courant de surcharge à l’état passant (ITSM) |
4,8 kA maximum |
| Valeur maximale de l’intégrale du courant au carré sur le temps (I2t) |
7,6 x 10^4 A^2s |
| Taux critique de montée du courant à l’état passant (diT/dt) |
1000 A/microseconde |
| Taux critique de montée du courant de récupération inverse (diR/dt) |
1000 A/microseconde |
| Dissipation de puissance directe de crête de la gâchette (PFGM) |
5 kW |
| Dissipation de puissance inverse de crête de la gâchette (PRGM) |
17 kW |
| Dissipation moyenne de puissance directe de la gâchette (PFG(AV)) |
100 W |
| Dissipation moyenne de puissance inverse de la gâchette (PRG(AV)) |
120 W |
| Tension directe de crête de la gâchette (VFGM) |
10 V |
| Tension inverse de crête de la gâchette (VRGM) |
21 V |
| Courant direct de crête de la gâchette (IFGM) |
500 A |
| Courant inverse de crête de la gâchette (IRGM) |
800 A |
| Tension d’entrée de l’alimentation du pilote de gâchette (VGIN) |
20 V CC nominal (plage acceptable : 19 à 21 V CC) |
| Consommation du pilote de gâchette (PGIN) |
35 W |
| Exigence relative à la force de serrage mécanique (FM) |
11,1 à 15,8 kN (valeur nominale de référence : 13 kN) |
| Diamètre de la pièce polaire du thyristor |
47 mm |
| Épaisseur totale du boîtier de l’ensemble |
26 mm |
| Poids structurel net |
1060 g |
| Plage de températures de fonctionnement de la jonction (Tj) |
-20 à 125 degrés Celsius |
| Plage de températures ambiantes de stockage (Tstg) |
-40 à 60 degrés Celsius |
| Plage de températures ambiantes de fonctionnement (Ta) |
-10 à 60 degrés Celsius (seuil recommandé : <= 40 degrés Celsius) |
| Résistance thermique jonction-ailette (Rt(j-f)) |
0,025 K/W |